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J-GLOBAL ID：200903052998509160

太陽電池およびその製造方法

Inventor： 佐藤 琢也 ,  根上 卓之 ,  橋本 泰宏
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002239763
Publication number (International publication number)：2004079858
Application date： Aug. 20, 2002
Publication date： Mar. 11, 2004
Summary：

【課題】カルコパイライト結晶構造を有する半導体を用いた太陽電池において、特性と密着性が高い太陽電池、およびその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁性基板11上に、導電層12a、12bと、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とを含む化合物半導体層からなる光吸収層13を備えている太陽電池10であって、前記導電層が少なくとも2層からなり、第1の導電層12aと第2の導電層12bとの間にIa族元素を含む層19を備えた太陽電池。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に、導電層と、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とを含む化合物半導体層を備えている太陽電池であって、前記導電層が少なくとも2層からなり、前記導電層間にIa族元素を含む層を設けたことを特徴とする太陽電池。

IPC (1)：

H01L31/04

FI (1)：

H01L31/04 E

F-Term (14)：

5F051AA10 ,  5F051BA14 ,  5F051BA15 ,  5F051CB15 ,  5F051CB27 ,  5F051DA07 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA15 ,  5F051FA17 ,  5F051FA25 ,  5F051GA02 ,  5F051GA05 ,  5F051GA06