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J-GLOBAL ID：200903052999849526
サブミクロン相互接続の選択的空隙充填方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995139505
Publication number (International publication number)：1996055913
Application date： Jun. 06, 1995
Publication date： Feb. 27, 1996
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 間隔の狭いリード間に不必要な容量を低減化するための低誘電率材料を有し、容量が重大な問題とならない場所の間隔の広いリード間には構造的により強度の高い誘電層を有する半導体デバイスおよびその方法。【構成】 半導体ウエハ10の基板12上へ第1領域15と第2領域17とを有する金属層14が堆積され、金属層上へ絶縁層39が堆積され、絶縁層は間隔の広いリードと間隔の狭いリードとを含む導体パターンにパターニングされる。間隔の広いリード16が金属層14の第1領域15中に形成され、間隔の狭いリード18の少なくとも隣接部分が金属層14の第2領域17中に形成される。間隔の狭いリード18の隣接部分間に低誘電率材料34が堆積され、少なくとも間隔の広いリード間に構造的誘電層が堆積される。低誘電率材料は3よりも小さい誘電率を有する材料である。
Claim (excerpt)：
半導体ウエハ上へ絶縁されたリードを作製するための方法であって、第1領域と第2領域とを有する金属層を基板上へ堆積させること、前記金属層上へ絶縁層を堆積させること、前記絶縁層上へ間隔の広いリードと間隔の狭いリードの導体パターンをパターニングすること、およびパターニングされたレジストを使用して、少なくとも間隔の広いリードの領域を少なくとも間隔の狭いリードの隣接部分の領域から区切って描画し、それによって少なくとも間隔の狭いリードの隣接部分の領域に低誘電率材料の堆積を許容し、また少なくとも間隔の広いリードの領域に構造的誘電層の堆積を許容すること、の工程を含み、ここにおいて、前記間隔の広いリードが最小リード間隔の1個半よりも大きい距離を隔てられたリードであり、前記間隔の狭いリードが他のリード部分から最小リード間隔の1個半に等しいかそれよりも小さい距離を隔てられた隣接部分を有するリードであり、更に、前記低誘電率材料が3よりも小さい誘電率を有する材料である方法。
IPC (2)：
H01L 21/768
, H01L 21/316
H01L 21/90 J
, H01L 21/90 V
