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J-GLOBAL ID：200903053000069266
p型ZnSe用電極形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992334215
Publication number (International publication number)：1994181339
Application date： Dec. 15, 1992
Publication date： Jun. 28, 1994
Summary：
【要約】【目的】 p型ZnSeと電極の間のバリアが小さいp型ZnSe用電極を提供することを目的とする。【構成】 p型ZnSe2上にTe薄膜層3を形成し、該Te薄膜層3上にAu層4を形成した後、熱処理を行う。
Claim (excerpt)：
p型ZnSe上にTe薄膜層を形成し、該Te薄膜層上にAu層を形成した後、熱処理を行うことを特徴とするp型ZnSe用電極形成方法。
IPC (2)：
H01L 33/00
, H01L 21/28 301
