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J-GLOBAL ID：200903053000147038

トレンチ単離方法

Inventor： モンテ・マニング
Applicant, Patent owner： ミクロン・テクノロジー・インコーポレーテッド
Agent (1)： 湯浅 恭三 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992284580
Publication number (International publication number)：1993218189
Application date： Oct. 22, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 半導体基板内に単離トレンチとメサ領域とを形成し、メサ領域にFETを形成する方法を開示すること。【構成】 この方法はシリコン基板に第1酸化物層104、第1非ドープポリシリコン層106及びエッチング停止層を形成することを含む。次に基板のエッチングによって単離トレンチ108とメサ領域110とを画定する。第2酸化物層を形成して単離トレンチを満たし、引き続いて第2酸化物層をエッチングして、メサ領域上の第2層酸化物を除去して、第1ポリシリコン層を露出させる。この方法はさらに露出第1ポリシリコン層上に導電性にドープされた第2ポリシリコン層を形成し、この後の工程において第1ポリシリコン層を第2ポリシリコン層によってオートドープする。第1及び第2ポリシリコン層をパターン化及びエッチングして、メサ領域にFETゲートを画定し、第1ポリシリコン層の下方の第1酸化物層をゲート酸化物として利用する。

Claim (excerpt)：

基板内に単離トレンチとメサ領域を形成し、メサ領域にFETを形成する方法において、次の工程:基板上に第1酸化物層を形成する工程;第1酸化物層上に第1厚さまでに第1ポリシリコン層を形成する工程;基板をエッチングして、単離トレンチと、第1ポリシリコン層からのポリシリコンを含むメサ領域とを画定する工程;単離トレンチを満たすために充分である厚さまで基板頂上に第2酸化物層を形成する工程;第2酸化物層をエッチングして、メサ領域上の第2酸化物層を除去する工程;メサ領域頂上で第1ポリシリコン層を露出させる工程;露出第1ポリシリコン層上に導電性にドープされた第2ポリシリコン層を形成する工程;及び第1及び第2ポリシリコン層をパターン化及びエッチングしてメサ領域にFETゲートを画定し、第1ポリシリコン層の下方の第1酸化物層をゲート酸化物として用いる工程を含む方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭59-178772