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J-GLOBAL ID：200903053016947670

気相成長装置

Inventor： 佐藤 裕輔 ,  片岡 敬 ,  赤川 慶一 ,  大嶺 俊光
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992005891
Publication number (International publication number)：1993190464
Application date： Jan. 16, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 整流板での原料ガスの分解を防止して高品質な薄膜を気相成長させる。【構成】 整流板2のガス流れ方向上流側に位置する反応炉1の外周面に、冷却水12が循環する冷却装置13を配設して整流板2を冷却することにより、整流板2の小径孔2aを通る原料ガスの温度上昇を抑えて原料ガスの分解を抑制し、基板5上に反応生成物が付着するのを防止する。

Claim (excerpt)：

反応炉内に原料ガスを供給し、前記反応炉内に配設した基板ホルダ上の基板を加熱手段により加熱して前記基板表面に薄膜を気相成長させる気相成長装置において、前記基板に対して前記原料ガスの流れ方向上流側に配設した複数の孔を有する整流板と、該整流板を冷却する冷却手段とを具備したことを特徴とする気相成長装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/46 ,  C23C 16/52

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-287772
  
• 特開昭63-297563
  
• 特開平2-073624