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J-GLOBAL ID:200903053018428662

薄膜EL素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 西澤 利夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991161920
Publication number (International publication number):1993013168
Application date: Jul. 02, 1991
Publication date: Jan. 22, 1993
Summary:
【要約】 (修正有)【目的】 製造コストが低くかつ放射光の輝度が高い、薄膜EL素子を提供する。【構成】 層の端面方向へ光を放射させる薄膜EL素子において、薄膜EL素子が第一電極層1、第二電極層5、第一電極層1と第二電極層との間に配置された抵抗層2と発光体層4および抵抗層2と発光体層4との間に配置された導電性クラッド層3とを有し、発光体層4をコアーに、そして第二電極層5と導電性クラッド層3とを各々クラッドにした光導波路構造を形成し、少なくとも第二電極層5を含む一つ以上の層が複数の画素を画定し、第一電極層を共通電極に、そして第二電極層5を制御電極とし、第一電極層1と第二電極層5との間に直流電圧を印加することによって発光させる。
Claim (excerpt):
層の端面方向へ光を放射させる薄膜EL素子において、薄膜EL素子が第一電極層、第二電極層、第一電極層と第二電極層との間に配置された抵抗層と発光体層および抵抗層と発光体層との間に配置された導電性クラッド層とを有し、発光体層をコアーに、そして第二電極層と導電性クラッド層とを各々クラッドにした光導波路構造を形成し、少なくとも第二電極層を含む一つ以上の層が複数の画素を画定し、第一電極層を共通電極に、そして第二電極層を制御電極とし、第一電極層と第二電極層との間に直流電圧を印加することによって発光することを特徴とする薄膜EL素子。
IPC (6):
H05B 33/00 ,  B41J 2/44 ,  B41J 2/45 ,  B41J 2/455 ,  G03G 15/04 116 ,  G09F 9/30 365

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