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J-GLOBAL ID：200903053034740595

シリコン単結晶の製造方法

Inventor： 久一 俊雄 ,  桝井 積 ,  飯野 栄一 ,  布施川 泉 ,  木村 雅規 ,  山岸 浩利
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 落合 稔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992128062
Publication number (International publication number)：1993294780
Application date： Apr. 21, 1992
Publication date： Nov. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】 極めて簡単な手段でエッチピットの発生を効果的に抑制することのできるSi単結晶製造方法を提供することを目的とする。【構成】 CZ法によるシリコン単結晶の製造工程において、窒素濃度を管理したFZシリコン結晶を原料シリコンに添加して単結晶引き上げを行うか、多結晶シリコンの溶融工程を窒素雰囲気中で行うことにより原料シリコンに窒素を添加するか、表面に窒化珪素膜を形成したウエーハを原料シリコンに混入することにより原料シリコンに窒素を添加する。

Claim (excerpt)：

CZ法によるシリコン単結晶の製造工程において、窒素濃度を管理したFZシリコン結晶を原料シリコンに添加して単結晶引き上げを行うことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (3)：

C30B 15/02 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-017495
  
• 特開昭57-017497
  
• 特開昭60-251190