Pat

J-GLOBAL ID：200903053038349513

集束イオンビームを用いた試料加工方法、及び集束イオンビーム加工装置

Inventor： 武藤 勝美 ,  伊藤 勝治 ,  沼尾 義紀 ,  岩本 寛 ,  富松 聡 ,  梅村 馨
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立サイエンスシステムズ
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999193878
Publication number (International publication number)：2001021467
Application date： Jul. 08, 1999
Publication date： Jan. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】本発明は、リデポ現象の防止,衝撃に対して更に安定した強い固定,チャージアップ防止、そして試料をTEMホルダに対し、垂直に固定することによる方位合わせの容易性を実現することを目的とする。【解決手段】1.TEMホルダへ直接深穴を加工し、摘出した試料を本深穴に挿入した後、各種デポジション膜で固定する。2.試料を摘出部のみ持ち上げて分析目的部のみ突出させる形状とし、各種デポジション膜でバルク試料面と固定させる。

Claim (excerpt)：

集束イオンビームを用いた試料加工方法において、試料の特定部分を集束イオンビームを用いて切り出すステップと、前記切り出した特定部分を前記試料に他の部分より持ち上げるステップと、前記特定部分を持ち上げた状態で、当該特定部分と前記試料の他の部分とを固定するステップを備えたことを特徴とする集束イオンビームを用いた試料加工方法。

IPC (3)：

G01N 1/28 ,  B23K 15/00 508 ,  G01N 1/32

FI (3)：

G01N 1/28 G ,  B23K 15/00 508 ,  G01N 1/32 B

F-Term (4)：

4E066AA01 ,  4E066BA13 ,  4E066BC02 ,  4E066BC08