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J-GLOBAL ID：200903053044962740

半導体装置とその製造方法

Inventor： 関口 満
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998230430
Publication number (International publication number)：1999126820
Application date： Aug. 17, 1998
Publication date： May. 11, 1999
Summary：

【要約】【課題】 将来の微細化,高速化に対応できる程度に配線遅延が小さくかつ信頼性の高い多層配線構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 下側カーボン膜10aと下側SiO2 膜9aと上側カーボン膜10bとを形成した後、上側カーボン膜10bに配線パターンを有する溝を形成してから下側カーボン膜10a及び下側SiO2 膜9aにコンタクトホールを形成し、溝及びコンタクトホールにバリアメタル膜13とCu合金膜17とを埋め込んで配線及びプラグを形成する。以上の工程を複数回繰り返した後、最上の上側SiO2 膜9bから下方にダミー開口30を開口する。その後、ダミー開口30を介して酸素を利用したアッシングを行って、カーボン膜10a,10bを除去すると、配線,プラグの周囲が空気層40になる。これにより、信頼性の高い空中配線構造を、簡素な工程で実現することができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、上記半導体基板の上方で上記半導体基板からの高さがそれぞれ異なる位置に設けられ、それぞれ複数の配線を含む複数の配線層と、上記複数の配線層のうちいずれか1つの配線層の各配線と上記半導体基板との間、又はそれぞれ相異なる配線層に属する2つの配線同士の間を縦方向に接続するプラグと、上記各配線層ごとに設けられ、共通の配線層に属する各配線に接して各配線同士を横方向に連結する複数の絶縁膜と、上記複数の絶縁膜のうち少なくとも最上の絶縁膜を貫通する開口とを備え、上記開口が形成された絶縁膜の直下の領域及びその上方の領域における配線及プラグの周囲は空気層となっていることを特徴とする半導体装置。