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J-GLOBAL ID：200903053065595070
直流マグネトロンスパッタ方法及び装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994099489
Publication number (International publication number)：1995310181
Application date： May. 13, 1994
Publication date： Nov. 28, 1995
Summary：
【要約】【目的】本発明は、アルミ合金等の金属薄膜やITO(Indium-Tin Oxide)の薄膜を、直流マグネトロンスパッタ法により大面積のガラス基板等に均一に成膜することを目的としている。【構成】スパッタ室10の内部に、所要の膜を形成すべきガラス基板11と、基板11に対向する位置に導電性ターゲット13を有し、ターゲット13の背面上を揺動しマグネトロン磁場を形成する永久磁石16を有し、基板11の近傍に、浮動電位としたマスク14を設け、マスク14とターゲット13との間に2つの接地電極15を永久磁石16の両端部に対向する位置でかつ揺動方向に一致するように設けたことを特徴とする。【効果】永久磁石の揺動に伴うプラズマ密度の変動がなく、従来ではできなかった350mm×450mm以上の大面積ガラス基板上に均一な膜を作製できた。
Claim (excerpt)：
真空容器と、該真空容器の内部に所要の膜を形成すべき基体と、該基体と対向する位置に配置された導電性ターゲットと、該ターゲット周囲に、該ターゲット以外の場所をスパッタすることを防止するアースシールドと、マグネトロン磁場を形成するための機械的に移動可能な磁石とを有し、前記ターゲットに直流電圧を印加する直流マグネトロンスパッタ装置において、前記ターゲットに近い順に、前記アースシールドとは別の接地電位の電極と、電気的に絶縁されて浮動電位とした電極とを設けたことを特徴とする直流マグネトロンスパッタ装置。
IPC (3)：
C23C 14/35
, H01L 21/203
, H01L 21/31
