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J-GLOBAL ID：200903053067658002

半導体装置及びその作製方法

Inventor： 中村 理 ,  梶原 誠之 ,  山崎 舜平 ,  大沼 英人
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002020801
Publication number (International publication number)：2002313811
Application date： Jan. 29, 2002
Publication date： Oct. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】 非晶質半導体膜の結晶化に対して触媒作用のある金属元素を用いて得られる半導体膜に残存する当該金属元素を効果的に除去する技術を提供することを目的とする。【解決手段】 非晶質構造を有する半導体膜の結晶化に用いた触媒元素を除去するために、希ガス元素を添加した領域又は希ガス元素が添加された半導体膜を形成し、加熱処理を施してそこに触媒元素を移動させ、ゲッタリングを完遂させるものである。希ガス元素を添加した半導体膜と結晶構造を有する半導体膜との界面には薄い酸化膜を形成する。

Claim (excerpt)：

絶縁表面上に結晶構造を有する半導体膜が形成された半導体装置において、前記半導体膜に含まれる酸素の濃度は5×1018/cm3以下であり、前記半導体膜の内部又は表面近傍において、希ガス元素が1×1013〜1×1020/cm3の濃度で含まれている領域を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/322 ,  H01L 29/786

FI (6)：

G02F 1/1368 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/322 G ,  H01L 29/78 627 Z ,  H01L 29/78 618 G ,  H01L 29/78 627 G

F-Term (137)：

2H092GA59 ,  2H092HA03 ,  2H092HA04 ,  2H092HA05 ,  2H092JA24 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JB07 ,  2H092JB54 ,  2H092JB56 ,  2H092JB61 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092KA08 ,  2H092KA10 ,  2H092KA12 ,  2H092KB25 ,  2H092MA02 ,  2H092MA04 ,  2H092MA07 ,  2H092MA08 ,  2H092MA10 ,  2H092MA12 ,  2H092MA18 ,  2H092MA22 ,  2H092MA27 ,  2H092MA28 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092MA37 ,  2H092NA07 ,  2H092NA21 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052AA24 ,  5F052BA02 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052FA19 ,  5F052HA06 ,  5F052JA01 ,  5F052JA09 ,  5F110AA06 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE37 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF12 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HM15 ,  5F110HM18 ,  5F110HM19 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN44 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体薄膜の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-271703   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体の不純物量測定方法および装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-032633   Applicant：大日本スクリーン製造株式会社
• 半導体膜の作製方法及び半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-205346   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所