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J-GLOBAL ID：200903053070568570

TiN膜の製造方法

Inventor： 中 野 正 ,  太 田 与 洋
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 渡辺 望稔 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992118705
Publication number (International publication number)：1993311445
Application date： May. 12, 1992
Publication date： Nov. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】低温で高速に良質の、LSI製造工程等で用いられるTiN膜を製造する。【構成】化学的気相成長法によってTiN膜を製造する方法において、原料ガスとして一般式:An Bm Tiただし、nおよびmは1以上3以下であって、かつn+m≦4の関係式を満たす整数の組とし、同一でも異なっていてもよい。Aはπ電子によってTiと結合する環式炭化水素基あるいは窒素を含む複素環式化合物基、Bは窒素がTiと直接結合するアルキルアミン誘導体基である化合物、を用いることを特徴とするTiN膜の製造方法。

Claim (excerpt)：

化学的気相成長法によってTiN膜を製造する方法において、原料ガスとして一般式:An Bm Tiただし、nおよびmは1以上3以下であって、かつn+m≦4の関係式を満たす整数の組とし、同一でも異なっていてもよい。Aはπ電子によってTiと結合する環式炭化水素基あるいは窒素を含む複素環式化合物基、Bは窒素がTiと直接結合するアルキルアミン誘導体基である化合物、を用いることを特徴とするTiN膜の製造方法。