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J-GLOBAL ID：200903053078008484

半導体基板の洗浄方法

Inventor： 吉田 寛史 ,  田中 一成 ,  堺谷 ひさし ,  石内 征夫
Applicant, Patent owner： 三菱瓦斯化学株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995217558
Publication number (International publication number)：1997064001
Application date： Aug. 25, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【構成】 アルカリ性過酸化水素洗浄液による半導体基板の洗浄方法において、吸着樹脂を通した含有する全有機炭素が10ppm以下である過酸化水素を用い、アルカリ濃度0.1〜5重量%のアルカリ洗浄液を用いることを特徴とする半導体基板の洗浄方法。【効果】 洗浄液中の疏水性有機不純物の低減により、清浄な半導体基板が得られデバイス等の性能および歩留りの向上が可能となる。

Claim (excerpt)：

アルカリ性過酸化水素洗浄液による半導体基板の洗浄方法において、吸着樹脂を通した含有する全有機炭素が10ppm以下である過酸化水素を用い、アルカリ濃度0.1〜5重量%のアルカリ洗浄液を用いることを特徴とする半導体基板の洗浄方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 341 ,  C01B 15/01

FI (2)：

H01L 21/304 341 L ,  C01B 15/01