Pat

J-GLOBAL ID：200903053086723249

単結晶の温度分布簡易測定方法及び簡易測定方法を利用したシリコン単結晶の製造方法

Inventor： 石川 文敬 ,  最勝寺 俊昭 ,  中村 浩三
Applicant, Patent owner： コマツ電子金属株式会社
Agent (1)： 松澤 統
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998032011
Publication number (International publication number)：1998330189
Application date： Jan. 28, 1998
Publication date： Dec. 15, 1998
Summary：

【要約】【課題】 CZ法による単結晶製造装置で育成中のシリコン単結晶の温度分布、特に1100°C付近の位置を把握するための温度分布簡易測定方法を提供する。【解決手段】 シリコン単結晶の育成中に、直胴部形成開始端が少なくとも1000°C以下に冷却されていると推定するに足る長さまで直胴部を成長させた後、前記単結晶を融液から切り離すに十分な速度まで引き上げ速度を上げ、融液から単結晶を切り離す。この単結晶に酸素析出熱処理を施し、前記単結晶における異常酸素析出部の位置を特定する。異常酸素析出位置はgrown-in欠陥の境界で発生し、その位置は単結晶が融液から切り離す直前に1100°C付近であった部分であるため、前記方法により、融液から切り離す直前に単結晶が1100°Cであった位置を知り、切り離し直前の単結晶の温度分布を簡易的に把握する。単結晶育成過程で1100°C付近での冷却速度を制御することにより、前記欠陥発生の制御が可能となる。

Claim (excerpt)：

CZ法によるシリコン単結晶の製造において、前記単結晶の直胴部形成開始端が少なくとも1000°C以下に冷却されていると推定するに十分な長さまで直胴部を成長させた後、前記単結晶を融液から切り離すに十分な速度まで引き上げ速度を上げて融液から単結晶を切り離して冷却し、得られた単結晶に酸素析出熱処理を施し、前記単結晶内における異常酸素析出部の位置を知ることにより、融液から切り離す直前に結晶内温度が1100°Cであった位置を特定し、融液から切り離す直前の単結晶の温度分布を簡易的に把握することを特徴とする単結晶製造装置の炉体内における単結晶の温度分布簡易測定方法。

IPC (3)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 15/20 ,  G01K 1/02

FI (3)：

C30B 29/06 502 J ,  C30B 15/20 ,  G01K 1/02 R