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J-GLOBAL ID：200903053108507391

半導体装置の製造方法

Inventor：
小柳 賢一

About 小柳 賢一

, 
藤岡 弘文

About 藤岡 弘文


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000046140
Publication number (International publication number)：2001237397
Application date： Feb. 23, 2000
Publication date： Aug. 31, 2001
Summary：
【要約】【課題】 論理回路用トランジスタの性能に影響を与えない比較的低温の温度処理で酸化タンタル膜を含む絶縁膜を形成することが可能であり、リーク電流を低減すると共に、高容量化が可能な酸化タンタルを含む絶縁膜を有する容量素子を形成するための半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 窒素をプラズマによって分解した窒素ラジカル雰囲気中で熱窒化させるRPN処理を用いて下部電極上にシリコン窒化膜を成膜し、Ta2O5膜をRTO処理を用いて酸化/結晶化させる。または、シリコン窒化膜をRTN処理を用いて形成し、Ta2O5膜を、酸素をプラズマによって分解した酸素ラジカル雰囲気中で熱酸化させるRPO処理を用いて酸化/結晶化させる。さらに、RPN処理を用いて下部電極上にシリコン窒化膜を成膜し、Ta2O5膜をRPO処理を用いて酸化/結晶化させる。
Claim (excerpt)：
酸化タンタル膜を含む絶縁膜が下部電極と上部電極間に挟まれて成る容量素子を形成するための半導体装置の製造方法であって、窒素をプラズマによって分解した窒素ラジカル雰囲気中で熱窒化させるリモートプラズマ窒化処理を用いて前記下部電極上にシリコン窒化膜を成膜し、前記シリコン窒化膜上に前記酸化タンタル膜を成膜し、該酸化タンタル膜を、酸素を含む雰囲気中で短時間に熱酸化させるRTO処理を用いて酸化させ、結晶化させる半導体装置の製造方法。
IPC (8)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (8)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/318 A ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 B
F-Term (48)：
5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC10 ,  5F038AC16 ,  5F038AC18 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ17 ,  5F045AC01 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF08 ,  5F045BB16 ,  5F045DA61 ,  5F045DC51 ,  5F045DC63 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045DQ17 ,  5F045EH18 ,  5F045HA24 ,  5F058BA11 ,  5F058BB04 ,  5F058BD01 ,  5F058BD10 ,  5F058BF02 ,  5F058BF08 ,  5F058BF22 ,  5F058BF55 ,  5F058BF64 ,  5F058BH03 ,  5F058BH16 ,  5F058BH17 ,  5F058BJ02 ,  5F083AD42 ,  5F083AD60 ,  5F083AD62 ,  5F083GA06 ,  5F083JA03 ,  5F083JA06 ,  5F083JA19 ,  5F083PR13 ,  5F083PR16 ,  5F083ZA12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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