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J-GLOBAL ID：200903053116319847

液晶表示装置

Inventor： 中園 卓志
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993328655
Publication number (International publication number)：1995181519
Application date： Dec. 24, 1993
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 液晶表示装置に用いる薄膜トランジスタ素子の内部での光リーク電流の発生を抑えて、表示不良を解消し表示品位を向上した液晶表示装置を実現する。【構成】 活性層2には、チャネル領域3と、その両脇にLDD4aおよびLDD4bとが形成されており、さらにそれらに隣設して、LDD4aの隣にはソース領域5が、またLDD4bの隣にはドレイン領域6が形成されている。この活性層2のうち、チャネル領域3にはB(硼素)が1 ×1017/cm3 添加されてp型に形成されており、ソース領域5およびドレイン領域6の伝導型であるn型とは逆の伝導型に形成されている。このようにチャネル領域3を形成することで、光励起に起因した過剰キャリアをチャネル領域3内部でトラップ(再結合)して、光リーク電流を解消する。

Claim (excerpt)：

対向電極と、該対向電極に間隙を有して対向するように配置された画素電極と、前記対向電極および前記画素電極の間に封入・挟持された液晶層と、活性層が多結晶シリコンから形成され該活性層にチャネル領域、ソース領域、ドレイン領域が形成されて前記画素電極に印加する液晶駆動電圧のスイッチングを行なう薄膜トランジスタ素子とを有する液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタ素子の前記チャネル領域の電気伝導型が前記ソース領域およびドレイン領域の電気伝導型に対して逆の伝導型に形成されて、前記活性層内部で光励起により生じるキャリアを該活性層のチャネル領域で再結合させる薄膜トランジスタ素子を具備することを特徴とする液晶表示装置。

IPC (2)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786

FI (2)：

H01L 29/78 311 A ,  H01L 29/78 311 S