Pat

J-GLOBAL ID：200903053118364556

半導体装置の製造方法

Inventor： 安村 賢二 ,  執行 和浩
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001312275
Publication number (International publication number)：2003124122
Application date： Oct. 10, 2001
Publication date： Apr. 25, 2003
Summary：

【要約】【課題】 エッチング速度の向上およびエッチング均一性の向上を図ることができるように改良された半導体装置の製造方法を提供することを主要な目的とする。【解決手段】 半導体基板11の表面にイオン化させたイオンまたは電子12を照射する。半導体基板11の表面に半導体膜13をエピタキシャル成長させる。半導体膜13をエッチング液によりエッチングする。本発明における半導体装置の製造方法によれば、半導体膜13中に結晶欠陥を発生させ、その領域のエッチング速度を向上させることによって、所定のパターンを制御よくウェットエッチングすることができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面にイオン化させたイオンを照射する工程と、前記照射後、前記半導体基板の表面に半導体膜をエピタキシャル成長させる工程と、前記半導体膜をエッチング液によりエッチングする工程と、を備えた半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/306

FI (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/306 B

F-Term (11)：

5F043AA08 ,  5F043BB01 ,  5F043BB06 ,  5F043BB12 ,  5F043DD01 ,  5F043DD17 ,  5F043DD30 ,  5F045AA04 ,  5F045DA67 ,  5F045HA01 ,  5F045HA14