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J-GLOBAL ID：200903053137333645

半導体発光素子

Inventor： 佐々木 和明 ,  中津 弘志 ,  渡辺 昌規 ,  松本 晃広 ,  竹岡 忠士 ,  近藤 正樹 ,  山本 修
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992006807
Publication number (International publication number)：1993190902
Application date： Jan. 17, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：

【要約】【構成】多重量子障壁構造を有する半導体発光素子であって、その多重量子障壁構造がGaAs基板に格子整合する複数の障壁層及び井戸層と、格子整合しない障壁層、例えば、InAlP、InGaAlP、ZnSe、ZnSSe、及びCdZnSとを含む半導体発光素子。【効果】格子不整合障壁層は格子整合障壁層よりも厚くても、障壁層としての機能を充分に発揮するため、通常のMOCVD法により容易に多重量子障壁構造が形成される。MOCVD法により容易に形成されるので製造工程時間が短縮される。ガスソースMBE法で作成される従来の半導体発光素子に比較して、大量生産に適している。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、該半導体基板に対して格子整合する複数の障壁層及び井戸層を含む多重量子障壁構造とを備えた半導体発光素子であって、該多重量子障壁構造が、該半導体基板に対して格子整合していない障壁層を更に含む半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18