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J-GLOBAL ID：200903053140658148

単結晶シリコンのエッチング方法

Inventor： ガンミング ジャウ ,  テリー ケー. コ ,  ジェフリー デイヴィッド チン
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997224179
Publication number (International publication number)：1998092798
Application date： Jul. 16, 1997
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 丸みのある溝底隅部、シリコン全体で均一な溝深さ及び溝断面角、溝深さに依存しない溝断面角、滑らかで連続の溝側壁及び平坦で清浄な溝底を備える浅溝を単結晶シリコンにエッチングすること。【解決手段】 単結晶シリコンに浅溝をエッチングする方法が記載される。この処理エッチング材はHBr/Cl2/O2/Heを含む。この方法はフォトレジスト、酸化物及び窒化物のハードマスク等を含む様々なマスク24構造と共に使用でき、通常約0.25〜約1μ幅及び約0.3〜約1μ深さの浅溝32を形成する。浅溝32は丸みのある底隅部38、滑らかで連続な側壁34及び略平坦で清浄な底面36を有する。任意溝幅に対する断面角及び溝深さはシリコン全体で略均一である。更に断面角は溝深さに実質的に依存しない。この方法は、シリコンをエッチングするのに1又は2のエッチングステップを含んでもよく、2ステップエッチング処理は溝深さに対して様々な断面角の浅溝を形成する。

Claim (excerpt)：

(a)HBr、Cl2及び酸素を含む処理ガスをエッチング領域に導入するステップと、(b)前記処理ガスからプラズマを発生させるステップと、(c)単結晶シリコンを前記プラズマと接触させるステップと、を備える、単結晶シリコンをエッチングするための方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/76

FI (2)：

H01L 21/302 L ,  H01L 21/76 L