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J-GLOBAL ID：200903053141382561

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 平島 利宣 ,  堀田 正生 ,  森 博志 ,  田中 聡
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001047833
Publication number (International publication number)：2002252324
Application date： Feb. 23, 2001
Publication date： Sep. 06, 2002
Summary：

【要約】【課題】 L値のばらつきを低減し、高いQ値を有するRF信号処理用のVCO回路を提供する。【解決手段】受信系および送信系回路(LNA、ミキサ、PLL、VCO等)のうち、VCO回路以外の回路を、半導体チップ6内に形成し、VCO回路を別チップ(半導体チップ4、5)とする。さらに、VCO回路を構成するコイルおよびコンデンサ等の素子のうち、コイル以外の素子を半導体チップ5内に形成し、コイルを前記半導体チップが実装されるパッケージ基板1上にプリント配線3cとして形成する。

Claim (excerpt)：

支持基板上に形成されたプリント配線と、プリント配線上に実装された半導体チップを有する半導体装置であって、前記プリント配線は、発振回路を構成するインダクタとなる配線を含み、前記半導体チップは、発信回路を構成するコンデンサを含んでいることを特徴とする半導体装置。