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J-GLOBAL ID：200903053141827881

レジスト剥離剤組成物及びその使用方法

Inventor： 村田 容子 ,  小谷 武 ,  西嶋 佳孝
Applicant, Patent owner： ナガセ電子化学株式会社
Agent (1)： 塩出 真一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998295355
Publication number (International publication number)：2000181083
Application date： Oct. 16, 1998
Publication date： Jun. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 半導体又は液晶の素子回路等の製造工程における配線形成時に生成するレジスト残渣を高性能で除去するとともに、優れたAl防食性を発揮させる。【解決手段】 フッ化水素酸と塩基との塩、硫黄を含まない極性有機溶媒及び水を含有し、かつ水素イオン濃度(pH)が8.5〜10.0の範囲にあるレジスト剥離剤組成物。フッ化水素酸と塩基との塩の添加量が0.1〜5重量%、硫黄を含まない極性有機溶媒の含有量が20〜98.9重量%、水の含有量が1〜79.9重量%とする。

Claim (excerpt)：

フッ化水素酸と塩基との塩、硫黄を含まない極性有機溶媒及び水を含有し、かつ水素イオン濃度(pH)が8.5〜10.0の範囲にあることを特徴とするレジスト剥離剤組成物。

IPC (2)：

G03F 7/42 ,  H01L 21/027

FI (2)：

G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 B

F-Term (5)：

2H096AA25 ,  2H096AA30 ,  2H096HA28 ,  2H096LA03 ,  5F046MA02