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J-GLOBAL ID：200903053144293276
冷陰極エミツタ素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992117521
Publication number (International publication number)：1993152640
Application date： May. 11, 1992
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：
【要約】【目的】 エミッタ部の耐熱性及び耐電圧が高く、使用に伴う電子放射特性の劣化が少なくて、大電力で使用することが可能な冷陰極エミッタ素子を提供することを目的とする。【構成】 シリコン基板1上には、開口部が設けられたSiO2 膜2aが形成されており、このSiO2 膜2a上には引き出し電極4が形成されている。また、前記開口部の基板表面上にはエミッタ3が形成されている。このエミッタ3は、半導体ダイヤモンドにより構成されている。
Claim (excerpt)：
その表面から真空中に電子を放出するエミッタ部を備えた冷陰極エミッタ素子において、前記エミッタ部が半導体ダイヤモンドからなることを特徴とする冷陰極エミッタ素子。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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