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J-GLOBAL ID：200903053144474238

固体撮像装置

Inventor： 山下 浩史 ,  井原 久典 ,  井上 郁子 ,  山口 鉄也 ,  中村 信男 ,  成瀬 宏 ,  猪熊 英幹 ,  柴田 英紀 ,  眞壁 晃 ,  安部 征吾 ,  野町 映子 ,  塩山 善之 ,  堀 幹子 ,  野崎 秀俊
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998070892
Publication number (International publication number)：1999274457
Application date： Mar. 19, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】MOS型固体撮像装置の画素サイズを縮小して、読み出しゲート電圧が低下し、ウェル濃度が高くなっても、信号蓄積部の信号電荷の排出が容易で、素子のダイナミックレンジの低下や、暗時の熱雑音、残像等が生じないこと。【解決手段】p型のシリコン基板21の表面部に、光電変換領域22を構成するp+ 拡散層23と、読み出しMOS型電界効果トランジスタのドレイン24が形成される。上記p+ 拡散層23の下方には、隣接してn型拡散層で構成される信号蓄積部25が形成され、シリコン基板21の表面上で上記p+ 拡散層23とドレイン24の間には、MOS型電界効果トランジスタのゲート電極26が設けられる。信号蓄積部25のMOSトランジスタのゲート電極26の際端部の位置は、シリコン基板21の表面部に設けられたp+ 拡散層の読み出しゲート電極26際端部よりもゲート電極26の下方に延出されて突出形成される。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、単位セルを行列二次元状に配置して成る撮像領域と、撮像領域の各セルからの信号を読み出す信号走査部からなる固体撮像装置に於いて、上記半導体基板の基板界面から基板深さ方向に所定距離離間された位置に設けられて、光電変換により得られた信号電荷を蓄積する第1導電型の信号蓄積部を有する光電変換領域と、この光電変換領域に隣接して設けられるもので、上記信号蓄積部から信号電荷を排出する第1導電型のMOS型電界効果トランジスタのゲート電極とを具備し、上記信号蓄積部の少なくとも一部はそのチャネル方向に於いて上記ゲート電極と重なるように信号が排出される方向に突出形成され、上記ゲート電極による電位変調により、上記信号蓄積部からMOS型電界効果トランジスタのチャネルを通して信号排出が行われることを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/335

FI (3)：

H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 P ,  H04N 5/335 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-261172
  
• 特開平4-332166
  
• 固体撮像装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-236075   Applicant：株式会社日立製作所