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J-GLOBAL ID：200903053155011078

レーザーダイオードポンピング固体レーザー

Inventor： 岡崎 洋二
Applicant, Patent owner： 富士写真フイルム株式会社
Agent (1)： 柳田 征史 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991231738
Publication number (International publication number)：1993075189
Application date： Sep. 11, 1991
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 光波長変換機能を有する固体レーザー媒質を、半導体レーザーによってポンピングするレーザーダイオードポンピング固体レーザーにおいて、高い波長変換効率を得る。【構成】 半導体レーザーの共振器を、レーザーダイオードチップ11の後方端面11aおよび共振器ミラー12のミラー面12aによって構成し、この共振器の内部に固体レーザー媒質であるNYAB結晶13を配置する。

Claim (excerpt)：

ネオジウム等の希土類がドーピングされ、かつ光波長変換機能を有する固体レーザー媒質を、半導体レーザーによってポンピングするレーザーダイオードポンピング固体レーザーにおいて、半導体レーザーの共振器が、レーザーダイオードチップの1つの端面および、このレーザーダイオードチップとは別体とされた素子の端面をミラー面として構成され、前記固体レーザー媒質が、前記共振器の内部に配置されていることを特徴とするレーザーダイオードポンピング固体レーザー。

IPC (3)：

H01S 3/094 ,  G02F 1/35 ,  H01S 3/109

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭64-028879
  
• 特開昭62-086881
  
• 特開平3-089574