半導体装置および半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高田守 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994320128
Publication number (International publication number)：1996181290
Application date： Dec. 22, 1994
Publication date： Jul. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】プレート電極の引き出し線用のコンタクトホールを精度よく形成できる半導体装置を得る。【構成】プレート電極9の引き出し線用の第1のコンタクトホール23の形成位置のプレート電極9の下部に第1のコンタクトホール23形成時のストッパーとしての筒型のダミーノード電極22を備える。

Claim (excerpt)：

トランジスタと筒型のキャパシタとからなるメモリセルを備えた半導体装置において、上記キャパシタのプレート電極の引き出し線用のコンタクトホールの形成位置の上記プレート電極の下部に上記コンタクトホール形成時のストッパーとしての筒型のダミーノード電極を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (4)：

H01L 27/10 621 C , H01L 27/04 C , H01L 27/10 681 D , H01L 27/10 681 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-214265 Applicant：三菱電機株式会社
半導体記憶装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-155981 Applicant：ソニー株式会社
特開平4-030465

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