Pat

J-GLOBAL ID：200903053161837999

ホウ素でドープされたシリコン膜の形成方法

Inventor： 松木 安生 ,  横山 泰明 ,  竹内 安正
Applicant, Patent owner： ジェイエスアール株式会社
Agent (1)： 大島 正孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000291393
Publication number (International publication number)：2002100576
Application date： Sep. 26, 2000
Publication date： Apr. 05, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 一段で且つ、簡単な操作や装置で、基体上にホウ素でドープされたシリコン膜を、効率的に例えば高い歩留りや大きい形成速度で形成することのできる方法を提供する。【解決手段】 シクロペンタシランおよびシリルシクロペンタシランよりなる群から選ばれる少なくとも1種のシリコン化合物並びにボラン・ジメチルスルフィド錯体を、不活性有機媒体蒸気の存在下に加熱管2に流し、熱分解せしめて基体上にシリコン膜を形成する。

Claim (excerpt)：

下記式(1)SixHy ...(1)ここで、xは3〜12の数でありそしてyは2x-2乃至2x+2の数である、で表される化合物および下記式(2)SinHn ...(2)ここで、nは6〜12の数である、で表される化合物よりなる群から選ばれる少なくとも1種のシリコン化合物並びにボラン・スルフィド錯体を、不活性有機媒体蒸気の存在下に、熱分解せしめることを特徴とする基体上にホウ素でドープされたシリコン膜を形成する方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C01B 33/029 ,  C23C 16/40 ,  H01L 31/04

FI (4)：

H01L 21/205 ,  C01B 33/029 ,  C23C 16/40 ,  H01L 31/04 V

F-Term (38)：

4G072AA02 ,  4G072BB09 ,  4G072GG03 ,  4G072HH03 ,  4G072JJ47 ,  4G072LL15 ,  4G072RR01 ,  4G072RR11 ,  4K030AA06 ,  4K030AA18 ,  4K030AA20 ,  4K030BA29 ,  4K030BA30 ,  4K030BB03 ,  4K030CA06 ,  4K030CA07 ,  4K030DA08 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030LA16 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC19 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE29 ,  5F045AF07 ,  5F045BB16 ,  5F045BB20 ,  5F045CA13 ,  5F045HA08 ,  5F051AA05 ,  5F051AA16 ,  5F051CA07 ,  5F051CA20