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J-GLOBAL ID:200903053164968911

金属膜作製装置及び金属膜作製方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 光石 俊郎 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001348319
Publication number (International publication number):2003147530
Application date: Nov. 14, 2001
Publication date: May. 21, 2003
Summary:
【要約】【課題】 基板3がプラズマに晒されない状態で、成膜速度が速く、コストを大幅に減少させて高品質なCu薄膜19を生成する。【解決手段】 基板が収容されるチャンバ1とは隔絶した励起室15にプラズマアンテナ11から電磁波を入射してCl2 ガスプラズマ16を生成し、励起塩素により被エッチング部材8をエッチングすることにより前駆体(CuxCly)18をチャンバ1の内部に生成し、被エッチング部材8よりも低い温度に制御された基板3に運ばれる前駆体(CuxCly)18が還元反応によりCuイオンのみとされて基板3に当てられ、基板3の表面にCu薄膜19が生成され、基板3がプラズマに晒されない状態で、成膜速度が速く、コストを大幅に減少させて高品質なCu薄膜19を生成する。
Claim (excerpt):
基板が収容されるチャンバと、ハロゲンを含有する原料ガスをチャンバとは隔絶して励起する励起手段と、励起手段で励起された原料により金属と原料との前駆体をチャンバの内部に生成する生成手段と、基板側の温度を生成手段側の温度よりも低くして前駆体の金属成分を基板に成膜させる温度制御手段とを備えたことを特徴とする金属膜作製装置。
F-Term (7):
4K030AA02 ,  4K030AA03 ,  4K030BA01 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030EA01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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