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J-GLOBAL ID：200903053167033891

発光ダイオードの製造方法

Inventor： 渡辺 昌規
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993316397
Publication number (International publication number)：1995169994
Application date： Dec. 16, 1993
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 チップ分割前のウエハに良好な形状のレンズを作り込むことができ、量産性が優れた発光ダイオードの製造方法を提供する。【構成】 n型半導体基板10上に、n型半導体層12とp型半導体層14の接合部近傍の発光層13において発光する半導体多層構造を形成し、p型半導体層14の上に重フリントガラス層30を形成し、このガラス層30を屈伏点以上の400°Cに加熱してガラス層30を凝集させて、ガラス層30を表面形状が略球面状のレンズ部に形成する。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板上に、少なくとも第1導電型半導体層と、第2導電型半導体層とを順に積層して、上記第1導電型半導体層と上記第2導電型半導体層の接合部近傍において発光する半導体多層構造を形成し、上記第2導電型半導体層の上に上記発光の発光波長に対して透明な凝集層を形成し、上記凝集層を、上記凝集層の屈伏点以上の温度に加熱することによって、上記凝集層を凝集させて、上記凝集層を表面形状が略球面状のレンズ部に形成することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• レンズ・オン・チップ型発光装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-324870   Applicant：オムロン株式会社
• 特開平4-239781
  
• 特開昭57-204184