Pat

J-GLOBAL ID：200903053172860100

多重レベル高密度相互接続構造体及び高密度相互接続構造体

Inventor： クリシュナ ジー. サチデヴ ,  ジョン ピー. ヒューメル ,  サンダー エム. カマス ,  ロバート ニール ラング ,  アントン ネンダイク ,  チャールズ エイチ. ペリー ,  ハーバンズ サチデヴ
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 頓宮 孝一 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992175743
Publication number (International publication number)：1993251626
Application date： Jul. 02, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体デバイス又はパッケージで使用する高密度多層相互接続構造体の製造上の問題を解決すると共に、長期的な性能及び信頼性を改良する。【構成】 少なくとも1つの導電形状をその中に有する基板と、基板に接着された低熱膨脹性ポリイミドフィルムと、ポリイミドフィルム内に配置され基板の導電形状と接触する少なくとも1つの相互接続導電金属形状と、から構成される。絶縁体/パッシベーション層として、低比誘電率、低水分吸収、NMP等の溶媒中での非膨潤性、研磨性能等の優れた特性を有するポリイミドフィルムを使用することによって、得られる構造体の性能を改善できる。

Claim (excerpt)：

半導体デバイス又はパッケージで使用するための多重レベル高密度相互接続構造体であって、少なくとも1つの導電形状をその中に有する基板と、前記基板に接着された低熱膨脹率、低応力、高靱性、低比誘電率のポリイミド組成物のフィルムと、前記基板の前記導電形状と接触し、前記ポリイミドフィルム内に配置された少なくとも1つの相互接続導電金属形状と、を備えた多重レベル高密度相互接続構造体。

IPC (3)：

H01L 23/522 ,  H01L 23/12 ,  C08G 73/10 NTF

FI (2)：

H01L 23/52 B ,  H01L 23/12 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭58-125859
  
• 特開昭63-024650
  
• 特開平3-041757