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J-GLOBAL ID：200903053173352680

電磁波シールド層の形成方法

Inventor： 佐藤 一也 ,  奥野 晴彦
Applicant, Patent owner： 奥野製薬工業株式会社
Agent (1)： 三枝 英二 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000062137
Publication number (International publication number)：2001251084
Application date： Mar. 07, 2000
Publication date： Sep. 14, 2001
Summary：

【要約】【課題】プラスチック容器に対して、高い電磁波シールド特性と優れた耐食性を兼備する電磁波シールド層を簡単に形成できる方法を提供する。【解決手段】プラスチック容器に、無電解銅めっき皮膜及び無電解ニッケルめっき皮膜を順次形成し、次いで、無電解金めっき皮膜及び無電解銀めっき皮膜から選ばれた少なくとも一種のめっき皮膜を形成することを特徴とするプラスチック容器に電磁波シールド層を形成する方法。

Claim (excerpt)：

プラスチック容器に、無電解銅めっき皮膜及び無電解ニッケルめっき皮膜を順次形成し、次いで、無電解金めっき皮膜及び無電解銀めっき皮膜から選ばれた少なくとも一種のめっき皮膜を形成することを特徴とするプラスチック容器に電磁波シールド層を形成する方法。

IPC (2)：

H05K 9/00 ,  B32B 15/08

FI (2)：

H05K 9/00 D ,  B32B 15/08 F

F-Term (25)：

4F100AA22D ,  4F100AB16C ,  4F100AB17B ,  4F100AB24D ,  4F100AB25D ,  4F100AK01A ,  4F100AK74A ,  4F100BA04 ,  4F100BA07 ,  4F100DA01 ,  4F100EJ15A ,  4F100EJ64A ,  4F100EJ69D ,  4F100EJ85A ,  4F100GB41 ,  4F100GB48 ,  4F100JB02 ,  4F100JD08 ,  4F100YY00B ,  4F100YY00C ,  4F100YY00D ,  5E321AA01 ,  5E321BB23 ,  5E321BB25 ,  5E321GG05