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J-GLOBAL ID：200903053174607402

ガス吸蔵材料及びその製造方法ならびにガス吸蔵装置

Inventor： 西山 円
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Agent (2)： 渡辺 隆男 ,  大澤 圭司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004237596
Publication number (International publication number)：2006055698
Application date： Aug. 17, 2004
Publication date： Mar. 02, 2006
Summary：

【課題】 軽量で優れたガス吸蔵・放出能が期待できる新規な炭素系ガス吸蔵材料及びその製造方法を提供することを課題とする。 【解決手段】 表面に円筒状ないし円錐状のピット群が形成された原盤に流動性の高分子材料を塗布する工程と、該高分子材料を硬化し前記原盤から剥離して表面に円柱状ないし円錐状の突起群が形成された高分子シートを製造する工程と、該高分子シートの突起群を含む領域に金属被覆を形成する工程と、該金属被覆を触媒とする化学的気相成長法により前記突起群の軸線に略垂直かつ放射状に炭素繊維群を成長させる工程とにより、基板表面に略垂直に形成された円錐状ないし円柱状の突起からなる支持構造群と、該支持構造群の表面に形成された炭素繊維群とを有するガス吸蔵材料を製造する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板表面に略垂直に形成された円錐状ないし円柱状の突起からなる支持構造群と、該支持構造群の表面に形成された炭素繊維群とを有するガス吸蔵材料。

IPC (8)：

B01J 20/20 ,  B01J 20/28 ,  B01J 23/72 ,  B01J 23/74 ,  B01J 23/86 ,  B01J 37/02 ,  C01B 31/02 ,  F17C 11/00

FI (8)：

B01J20/20 B ,  B01J20/28 A ,  B01J23/72 M ,  B01J23/74 M ,  B01J23/86 M ,  B01J37/02 301M ,  C01B31/02 101F ,  F17C11/00 C

F-Term (55)：

4G066AA02C ,  4G066AA04B ,  4G066AD01C ,  4G066AE20C ,  4G066BA01 ,  4G066BA05 ,  4G066BA16 ,  4G066BA33 ,  4G066CA38 ,  4G066DA01 ,  4G066EA13 ,  4G066FA17 ,  4G066FA21 ,  4G066FA40 ,  4G069AA02 ,  4G069BC31A ,  4G069BC58A ,  4G069BC66A ,  4G069BC67A ,  4G069BC68A ,  4G069CB81 ,  4G069DA06 ,  4G069EA08 ,  4G069FA03 ,  4G069FB02 ,  4G069FB03 ,  4G069FB21 ,  4G140AA14 ,  4G140AA23 ,  4G140AA33 ,  4G140AA34 ,  4G140AA48 ,  4G146AA11 ,  4G146AB06 ,  4G146AD32 ,  4G146BA11 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC44 ,  4G169AA02 ,  4G169BC31A ,  4G169BC58A ,  4G169BC66A ,  4G169BC67A ,  4G169BC68A ,  4G169CB81 ,  4G169DA06 ,  4G169EA08 ,  4G169FA03 ,  4G169FB02 ,  4G169FB03 ,  4G169FB21