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J-GLOBAL ID：200903053178221770

半導体ウエハーの検査方法

Inventor： 山田 恵三
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998348988
Publication number (International publication number)：2000174077
Application date： Dec. 08, 1998
Publication date： Jun. 23, 2000
Summary：

【要約】【課題】 コンタクトホールの検査時間を短縮する方法を提供する。【解決手段】 複数のコンタクトホールを有する半導体ウエハーの検査方法において、前記半導体ウエハーを所望の複数の第1の領域に区分けして、各第1の領域に電子ビームを照射して、各第1の領域中のコンタクトホールを貫通する電子ビームの電流値を測定し、その電流値をしきい値と比較する所望のことにより前記第1の領域中の複数のコンタクトホールのうち正常に形成されていないコンタクトホールの割合を検査することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

複数のコンタクトホールを有する半導体ウエハーの検査方法において、前記半導体ウエハーを所望の複数の第1の領域に区分けして、各第1の領域に電子ビームを照射して、各第1の領域中のコンタクトホールを貫通する電子ビームの電流値を測定し、その電流値を所望のしきい値と比較することにより前記第1の領域中の複数のコンタクトホールのうち正常に形成されていないコンタクトホールの割合を検査することを特徴とする半導体ウエハーの検査方法。

IPC (2)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/302

FI (2)：

H01L 21/66 A ,  G01R 31/28 L

F-Term (20)：

2G032AA01 ,  2G032AD01 ,  2G032AF08 ,  4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106AA07 ,  4M106AB07 ,  4M106BA02 ,  4M106CA39 ,  4M106DA14 ,  4M106DH01 ,  4M106DH16 ,  4M106DH33 ,  4M106DH38 ,  4M106DH60 ,  4M106DJ01 ,  4M106DJ04 ,  4M106DJ14 ,  4M106DJ20 ,  9A001LL05