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J-GLOBAL ID：200903053181066824

超伝導マイクロ波装置及びその製法

Inventor： 永井 靖浩 ,  鈴木 尚文 ,  木町 良弘 ,  道上 修
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 田中 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991280488
Publication number (International publication number)：1994216616
Application date： Oct. 01, 1991
Publication date： Aug. 05, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 誘電体基板上にパターン化されている酸化物超伝導体薄膜が形成され、そのパターン化されている酸化物超伝導体薄膜上に外部連結用電極層が局部的に形成されている構成を有する超伝導マイクロ波装置の製法において、酸化物超伝導体薄膜を所期の特性から劣化しているおそれを有しないように形成する。【構成】 誘電体基板1上に酸化物超伝導体薄膜を形成し、次に、その酸化物超伝導体薄膜上に電極層を局部的に形成し、次に、上記酸化物超伝導体薄膜上に上記電極層が形成されていない領域から上記電極層上に連続延長しているマスク層21を形成し、次に、上記酸化物超伝導体薄膜及び電極層に対する、上記マスク層をマスクとするエッチング処理によって、上記酸化物超伝導体薄膜からパターン化されている酸化物超伝導体薄膜2を形成するとともに、上記電極層からパターン化されている外部連結用電極層4a,4dを形成する。

Claim (excerpt)：

誘電体基板上にパタ-ン化されている酸化物超伝導体薄膜が形成され、そのパタ-ン化されている酸化物超伝導体薄膜上に、外部連結用電極層が局部的に形成されている構成を有する超伝導マイクロ波装置において、上記外部連結用電極層が、貴金属でなる電極層と、ハンダ材でなる電極層とがそれらの順に積層されている積層体でなることを特徴とする超伝導マイクロ波装置。

IPC (6)：

H01P 7/08 ZAA ,  H01P 1/203 ZAA ,  H01P 3/08 ZAA ,  H01P 5/08 ZAA ,  H01P 9/00 ZAA ,  H01P 11/00 ZAA