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J-GLOBAL ID：200903053189553597

有機半導体デバイス及びその製造方法

Inventor：
板橋 哲

About 板橋 哲


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 山下 亮一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002026675
Publication number (International publication number)：2003229616
Application date： Feb. 04, 2002
Publication date： Aug. 15, 2003
Summary：
【要約】【目的】 極めて簡単なプロセスで同一基板上にTFTとLEDを形成することができる有機半導体デバイスを提供すること。【構成】 共通の基板上に、有機半導体による薄膜トランジスタと発光素子が形成されている有機半導体デバイスにおいて、薄膜トランジスタの主電極の少なくとも一方と発光素子の一方の電極である第1の電極、薄膜トランジスタのゲート電極と発光素子のもう一方の電極である第2の電極、発光素子の薄膜トランジスタの有機半導体層と発光素子の少なくとも1層の有機半導体層が各々共通であり、且つ、薄膜トランジスタのゲート絶縁層が発光素子を覆っていることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
共通の基板上に、有機半導体による薄膜トランジスタと発光素子が形成されている有機半導体デバイスにおいて、薄膜トランジスタの主電極の少なくとも一方と発光素子の一方の電極である第1の電極、薄膜トランジスタのゲート電極と発光素子のもう一方の電極である第2の電極、発光素子の薄膜トランジスタの有機半導体層と発光素子の少なくとも1層の有機半導体層が各々共通であり、且つ、薄膜トランジスタのゲート絶縁層が発光素子を覆っていることを特徴とする有機半導体デバイス。
IPC (4)：
H01L 51/00 ,  H01L 27/15 ,  H01L 29/786 ,  H05B 33/14
FI (5)：
H01L 27/15 B ,  H05B 33/14 A ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 613 Z
F-Term (21)：
3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110FF01 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG41 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-244167   Applicant：富士ゼロツクス株式会社
  • 有機アクティブEL発光装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-357028   Applicant：出光興産株式会社

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