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J-GLOBAL ID：200903053194601648

Cu電解めっき成膜方法

Inventor： 神吉 剛司 ,  北田 秀樹 ,  大塚 信幸 ,  清水 紀嘉
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 石田 敬 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999221722
Publication number (International publication number)：2001049491
Application date： Aug. 04, 1999
Publication date： Feb. 20, 2001
Summary：

【要約】【課題】 Cuシード膜付き基板上にCu電解めっきにより、高い信頼性をもって、微細なCu配線を形成することのできる方法を提供する。【解決手段】 基板上に形成されたCu膜をシードとしてその上にCu電解めっき成膜を行うに当たり、前記Cuシード膜付き基板をめっき液に浸漬する際にCuよりもイオン化傾向の大きい金属をCuシード膜に接触させることを特徴とするCu電解めっき成膜方法。

Claim (excerpt)：

基板上に形成されたCu膜をシードとしてその上にCu電解めっき成膜を行うに当たり、前記Cuシード膜付き基板をめっき液に浸漬する際にCuよりもイオン化傾向の大きい金属をCuシード膜に接触させることを特徴とするCu電解めっき成膜方法。

IPC (2)：

C25D 7/12 ,  H01L 21/288

FI (2)：

C25D 7/12 ,  H01L 21/288 E

F-Term (20)：

4K024AA09 ,  4K024AB01 ,  4K024AB17 ,  4K024BA01 ,  4K024BB12 ,  4K024BC03 ,  4K024CA03 ,  4K024CB26 ,  4K024GA04 ,  4M104AA01 ,  4M104BB04 ,  4M104DD07 ,  4M104DD33 ,  4M104DD43 ,  4M104DD52 ,  4M104FF13 ,  4M104FF22 ,  4M104GG13 ,  4M104HH13 ,  4M104HH20