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J-GLOBAL ID：200903053201092266

低温焼結誘電体磁器の製造方法

Inventor： 野寄 佳成 ,  鈴木 靖生
Applicant, Patent owner： 富士電気化学株式会社
Agent (1)： 茂見 穰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997157813
Publication number (International publication number)：1998330161
Application date： May. 30, 1997
Publication date： Dec. 15, 1998
Summary：

【要約】【課題】 内部電極材を含んだ構造の各種の誘電体部品を内部電極材に損傷を与えない温度で焼結でき、粉体の微粉砕工程が長くなりすぎることもなく、誘電特性及び特性安定性を向上させる。【解決手段】 主成分であるBaO10〜16モル%、TiO2 67〜72モル%、Nd2 O3 16〜18モル%に対して、Bi2 O3 7〜10重量%、Al2O3 0.3〜1.0重量%含有する仮焼済みの高誘電率材料に、ZnO45〜70重量%、B2 O3 5〜13重量%、SiO2 7〜40重量%、Al2 O3 8〜20重量%のガラス材料を3-x〜20-x容積%、CuOをx容積%(但し、x=0.2〜1.5)添加し、粉体の平均粒径を0.3μm以下に調整して、成形後、1000°C以下の温度で焼成する。CuOに代えて、ZnOを0.1〜1.5容積%、あるいはSnOを0.3〜1.2容積%添加してもよい。

Claim (excerpt)：

主成分としてBaOが10〜16モル%、TiO2 が67〜72モル%、Nd2 O3 が16〜18モル%の組成を有し、それに対し副成分としてBi2 O3 を7〜10重量%、Al2 O3 を0.3〜1.0重量%含有している仮焼済みのBaO-TiO2 -Nd2 O3 系の高誘電率材料に、ZnOが45〜70重量%、B2 O3 が5〜13重量%、SiO2 が7〜40重量%、Al2 O3 が8〜20重量%である組成の既にガラス化されている材料を添加し、低温焼成する誘電体磁器の製造方法において、高誘電率材料に対して、既にガラス化されている材料を3-x〜20-x容積%添加すると共に、それとは別にCuOをx容積%(但し、x=0.2〜1.5容積%)添加し、粉体の平均粒径を0.3μm以下に調整して、成形後、1000°C以下で焼成することを特徴とする低温焼結誘電体磁器の製造方法。

IPC (2)：

C04B 35/46 ,  H01B 3/12 303

FI (2)：

C04B 35/46 C ,  H01B 3/12 303

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 誘電体磁器組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-043040   Applicant：松下電器産業株式会社
• 低温焼結誘電体磁器の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-066979   Applicant：富士電気化学株式会社
• 誘電体磁器組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-224203   Applicant：株式会社村田製作所