耐熱性樹脂前駆体、耐熱性樹脂及び絶縁膜材料並びに半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001302665
Publication number (International publication number)：2003105086
Application date： Sep. 28, 2001
Publication date： Apr. 09, 2003
Summary：

【要約】【課題】樹脂前駆体の有機溶剤への溶解性を保持することで、加工性を維持すると共に、使用形態である閉環後の耐熱性を向上させ、また、電気特性、物理特性及び機械特性にも優れ、半導体の層間絶縁膜等の用途に適した樹脂を提供する。【解決手段】一般式(A)で表わされる繰り返し単位を有するポリベンゾオキサゾール樹脂前駆体、及び該前駆体から、脱水縮合及び架橋反応を経てオキサゾール化して得られる、ポリベンゾオキサゾール樹脂を含む絶縁膜用材料、更には該絶縁膜用材料からなる絶縁膜を有する半導体装置。【化1】式中、m及びnは、その合計が2〜1000までを示し、かつ、次式を満たす整数である。0.05≦(m/(m+n))≦1

Claim (excerpt)：

一般式(A)で表わされる構造を有する、ポリベンゾオキサゾール樹脂前駆体。【化1】(但し、式中のm及びnは、m>0、n≧0、2≦m+n≦1000、及び0.05≦m/(m+n)≦1を満たす整数である。また、Xは、式(B)で表される基の中から選ばれ四価の基を示し、Yは、式(C)で表される基の中から選ばれる少なくとも1つの二価の基を示す。Zは、式(D)で表される基の中から選ばれる二価の基を示す。一般式(A)において繰り返し単位の配列は、ブロック的であってもランダム的であっても構わない。)【化2】【化3】【化4】【化5】(但し、式(B)及び式(D)中、X1は式(E)で表される基の中から選ばれる二価の基を示す。また、式(B),式(C),式(D),及び式(E)で表される基における、ベンゼン環上の水素原子は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、フッ素原子、及びトリフルオロメチル基の中から選ばれる、少なくとも1個の基で置換されていても良い。)

IPC (4)：

C08G 73/22 , C08J 5/18 CFG , H01L 21/312 , C08L 79:04

FI (4)：

C08G 73/22 , C08J 5/18 CFG , H01L 21/312 A , C08L 79:04

F-Term (64)：

4F071AA58 , 4F071AF06 , 4F071AF13 , 4F071AF39 , 4F071AF40 , 4F071AF45 , 4F071AH12 , 4F071AH13 , 4F071AH16 , 4F071BA02 , 4F071BB02 , 4F071BC02 , 4J043PA04 , 4J043PA08 , 4J043PA09 , 4J043PA19 , 4J043PC015 , 4J043PC016 , 4J043PC145 , 4J043PC146 , 4J043QB15 , 4J043QB34 , 4J043RA06 , 4J043RA52 , 4J043SA06 , 4J043SA71 , 4J043SB01 , 4J043TA12 , 4J043TA47 , 4J043UA121 , 4J043UA131 , 4J043UA151 , 4J043UA152 , 4J043UA162 , 4J043UA171 , 4J043UA172 , 4J043UA181 , 4J043UA261 , 4J043UA262 , 4J043UB011 , 4J043UB012 , 4J043UB121 , 4J043UB122 , 4J043UB301 , 4J043UB302 , 4J043VA021 , 4J043VA022 , 4J043VA031 , 4J043VA032 , 4J043VA061 , 4J043VA062 , 4J043VA071 , 4J043VA072 , 4J043YA06 , 4J043ZA46 , 4J043ZB11 , 4J043ZB47 , 4J043ZB50 , 5F058AA10 , 5F058AC10 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02 , 5F058AH03

Return to Previous Page