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J-GLOBAL ID：200903053237883189

半導体装置の製造方法

Inventor： 天田 春男 ,  ▲高▼橋 延秋
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000255980
Publication number (International publication number)：2002075940
Application date： Aug. 25, 2000
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：

【要約】【目的】 半導体素子形成面に保護用粘着テープを被覆し、半導体ウエハを薄加工する方法として、半導体ウエハ割れや欠けを発生させずに、半導体ウエハを薄仕上げ加工する半導体装置製造方法を提供する。【構成】 半導体素子が形成された半導体ウエハ主面に、熱収縮性両面粘着テープとガラス等の補強材を貼り付る。この状態で、半導体ウエハ裏面研削薄仕上げ加工し、熱収縮両面粘着テープに熱を作用させ、熱収縮両面粘着テープを熱収縮させる。この熱収縮両面粘着テープの熱収縮により、ガラス板の剥離と熱収縮両面粘着テープの剥離が行われる。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハの半導体素子形成面(以下、主面と称す)に半導体素子を形成する第1工程と、前記第1工程後、半導体ウエハ主面に、熱収縮性保護用の粘着テープを貼り付ける第2工程と、前記第2工程後、半導体ウエハ主面に貼り付けられた粘着テープに、補強材を貼り付ける第3工程と、前記第3工程後、半導体ウエハ裏面を加工処理する第4工程と、前記第4工程後に、前記粘着テープを熱収縮させて、前記粘着テープとこの粘着テープに貼り付けた補強材を除去する第5工程を有することを特徴とする半導体装置製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/304 631 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/306 ,  H01L 29/417

FI (4)：

H01L 21/304 631 ,  H01L 21/304 621 B ,  H01L 21/306 B ,  H01L 29/50 U

F-Term (17)：

4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104FF02 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  5F043AA02 ,  5F043DD30 ,  5F043EE35 ,  5F043FF07 ,  5F043GG01 ,  5F043GG10