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J-GLOBAL ID：200903053247311299
ウェーハを冷却する方法及び装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中村 稔 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992120946
Publication number (International publication number)：1993166916
Application date： May. 14, 1992
Publication date： Jul. 02, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 多チャンバ処理システムの処理量に与える影響を最小限にとどめながら半導体ウェーハを予測可能に且つ均一に冷却する方法及び装置を提供する。又、ガスの薄層上でペデスタルの滑らかな表面の上を滑る可能性のある場合のウェーハの『滑り』の問題を解決する。【構成】 チャンバの中に配置されたペデスタル18と、その上面へ半導体ウェーハ88を下降させる機構20とを特徴とするウェーハ冷却装置16。ウェーハとペデスタル表面との間に据えられたガスをウェーハの周囲に逃がして、ウェーハがペデスタル表面上でガス薄層上を『滑る』傾向を少なくするためにペデスタルの上面に溝を設ける。この溝付き冷却表面を通して数本のピンを延ばしてウェーハに接触させ、ピンをペデスタルの中に後退させてウェーハを冷却表面に下降させると共に、ガスを強制的にペデスタルの溝の中に流入させる。
Claim (excerpt)：
チャンバと、前記チャンバに露出した実質的に平らなウェーハ支持面を有する支持本体から成るペデスタル手段であって、前記ウェーハ支持面は溝手段を備えているペデスタル手段と、前記チャンバ内に配置されたウェーハを前記支持本体の前記ウェーハ支持面の方へ下降させる手段とから成っており、前記支持本体は熱を前記ウェーハから除去するようになっていることを特徴とするウェーハ冷却装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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