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J-GLOBAL ID：200903053250652080

透明導電薄膜

Inventor： 佐藤 敏一 ,  鈴木 基史 ,  多賀 康訓
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 吉田 研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999076915
Publication number (International publication number)：2000276950
Application date： Mar. 19, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：

【要約】【課題】 透明導電薄膜の特性向上。【解決手段】 透明導電薄膜を透明基板10上に、インジウム錫酸化物の透明導電性層12、インジウム錫酸化物と金属酸化物との混合層14、金属酸化物層をこの順に形成した3層構造によって構成する。混合層14において、インジウム錫酸化物と金属酸化物との混合比は、一定であっても、積層するにつれて変化するようにしてもよい。混合層14の存在により透明導電薄膜の電気抵抗は低下し、最上層を金属酸化物層16にすること、及び混合層14との相乗効果で薄膜表面の面粗度を低下させることができ、透過率はITO単独層と同程度が実現できる。インジウム錫酸化物の層と金属酸化物の層を交互に積層した多数積層構造によって透明導電薄膜を構成しても、低い抵抗、低い面粗度で十分な透過率を有する透明導電薄膜が得られる。

Claim (excerpt)：

インジウム錫酸化物を用いた透明導電性層と、上層として形成された金属酸化物層と、を備え、さらに、該金属酸化物層と前記透明導電性層との間に、インジウム錫酸化物と金属酸化物とを含む混合層を備えることを特徴とする透明導電薄膜。

IPC (3)：

H01B 5/14 ,  B32B 7/02 104 ,  B32B 9/00

FI (3)：

H01B 5/14 A ,  B32B 7/02 104 ,  B32B 9/00 A

F-Term (21)：

4F100AA17A ,  4F100AA17B ,  4F100AA17C ,  4F100AA28A ,  4F100AA28B ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100BA08 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100GB41 ,  4F100JG01 ,  4F100JG01A ,  4F100JG04 ,  4F100JK14 ,  4F100JN01 ,  4F100JN01A ,  5G307FA01 ,  5G307FB01 ,  5G307FC09 ,  5G307FC10