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J-GLOBAL ID：200903053261712611

注入形発光素子

Inventor： 大島 久純 ,  榊原 伸義
Applicant, Patent owner： 日本電装株式会社
Agent (1)： 恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991215528
Publication number (International publication number)：1993055627
Application date： Aug. 27, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 励起源としてレーザ光を用いることなく発光可能な注入形発光素子を提供することにある。【構成】 単結晶シリコン基板1の表面に第1導電型の多孔質シリコン7が形成されるとともに、その多孔質シリコン7の空間はCVD法によるSiO2 膜9により満たされ固定化されている。多孔質シリコン7に接するようにアモルファスシリコン又はポリシリコンよりなる第2導電型の窓層10が形成されている。この多孔質シリコン7と窓層10により形成されたpn接合の両側に表面及び裏面電極11,12が配置されている。そして、電極間の電圧印加により、pn接合部分に少数キャリアの注入が起こり、pn接合部でキャリアの再結合が起こり発光して窓層10を透過していく。

Claim (excerpt)：

単結晶シリコン基板の表面に形成された第1導電型の多孔質シリコンと、前記多孔質シリコンと接し、発光光を透過可能な第2導電型の半導体膜と、前記多孔質シリコンと半導体膜により形成されたpn接合の両側に配置された電極とを備えたことを特徴とする注入形発光素子。