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J-GLOBAL ID：200903053262294139

デュアルダマシンエッチングの実施方法、バイアの形成方法、及び自己整合バイアの製造方法

Inventor： ライナー エフ シュナーベル ,  クラウス フェルトナー
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998276131
Publication number (International publication number)：1999163143
Application date： Sep. 29, 1998
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：

【要約】【課題】 自己整合バイアの相互接続を伴うデュアルダマシンを使用してマルチレベルの同一平面金属/絶縁体フィルムを形成する改良方法を提供する。【解決手段】 該方法は、ハードレジスト層を前記絶縁体の上表面の上にハードレジスト層を付着させる工程、前記ハードレジストの上表面にソフトレジスト層を付着させる工程、第1のマスク開口部として前記の第2の開口部を使用して前記絶縁層の上表面にトレンチを形成する工程、前記ハードレジストが実質的に影響を受けないように、前記ソフトレジストを除去する工程及び第2のマスク開口部として第1の開口部を使用して、前記トレンチの底部で前記絶縁体を貫通して前記の下に存在するデバイス層に達するまでエッチングすることによってバイアを形成する工程からなる。

Claim (excerpt)：

基板上の、下に存在するデバイス層、該下に存在するデバイス層上に配置された絶縁層からなる層スタックを貫通してデュアルダマシンエッチングを実施する方法において、ハードレジスト層を前記絶縁体の上表面の上にハードレジスト層を付着させる工程、その際前記ハードレジスト層は、該ハードレジスト層内の第1の開口部が前記の下に存在するデバイス層上に位置するようにパターン化されており、前記の第1の開口部は上に存在する金属化を規定するために適当に配列されている;前記ハードレジストの上表面にソフトレジスト層を付着させる工程、その際前記ソフトレジスト層は、前記のハードレジストの第1の開口部より小さくかつそれと整合した第2の開口部が形成されるようにパターン化されており、前記の第2の開口部は前記の上に存在する金属化層と前記の下に存在する金属化層とを結合させるバイア相互接続を形成するために適当に配置されている;第1のマスク開口部として前記の第2の開口部を使用して前記絶縁層の上表面にトレンチを形成する工程、その際前記トレンチは、前記の下に存在するデバイス層上に位置しかつ該デバイス層から前記トレンチの底部で絶縁材料によって隔離されている;前記ハードレジストが実質的に影響を受けないように、前記ソフトレジストを除去する工程;及び第2のマスク開口部として第1の開口部を使用して、前記トレンチの底部で前記絶縁体を貫通して前記の下に存在するデバイス層に達するまでエッチングすることによってバイアを形成する工程からなることを特徴とする、デュアルダマシンエッチングの実施方法。

IPC (2)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3065

FI (2)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/302 J