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J-GLOBAL ID：200903053262774130

半導体レーザ素子

Inventor： 西塚 満 ,  太田 啓之
Applicant, Patent owner： パイオニア株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996108456
Publication number (International publication number)：1997275238
Application date： Apr. 04, 1996
Publication date： Oct. 21, 1997
Summary：

【要約】【課題】 GaN系半導体レーザ素子に見られるような、絶縁体を励振基板に用いて形成される半導体レーザ素子において、歪みのないレーザ光を放射することのできる半導体レーザ素子を提供するものである。【解決手段】 絶縁体基板上に積層された結晶層と、第1の電極と、結晶層及び第1の電極の層間に積層されて形成される少なくとも一つのヘテロ接合と、結晶層上に形成される第2の電極とを備え、第1の電極面にほぼ平行な方向に放射軸を有するレーザビームを放射する半導体レーザ素子であって、第2の電極は、放射軸を含み第1の電極面に垂直な平面に対しほぼ対称な位置に設けられた1対の電極で構成されることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

絶縁体基板上に積層された結晶層と、第1の電極と、前記結晶層及び前記第1の電極の層間に積層されて形成される少なくとも一つのヘテロ接合と、前記結晶層上に形成される第2の電極とを備え、前記第1の電極面にほぼ平行な方向に放射軸を有するレーザビームを放射する半導体レーザ素子であって、前記第2の電極は、前記放射軸を含み前記第1の電極面に垂直な平面に対しほぼ対称な位置に設けられた1対の電極で構成されることを特徴とする半導体レーザ素子。