単結晶の熱処理方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：長谷川芳樹 , 寺崎史朗 , 赤堀龍吾
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005251886
Publication number (International publication number)：2007001849
Application date： Aug. 31, 2005
Publication date： Jan. 11, 2007
Summary：

【課題】特定のセリウム付活珪酸塩化合物の単結晶、特にLnとしてイオン半径がTbよりも小さいDy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y及びScからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素を用いた単結晶であっても、蛍光出力のバックグラウンドの増加が十分に抑制され、しかも蛍光出力のばらつきも十分に防止でき蛍光出力特性が十分に向上可能となる単結晶の熱処理方法を提供する。【解決手段】特定のセリウム付活珪酸塩化合物の単結晶を酸素の少ない雰囲気中、下記式(3)で表される条件を満足する温度T1(単位:°C)で加熱する工程を有する単結晶の熱処理方法。 800≦T1<(Tm1-550) (3)ここで、式(3)中、Tm1(単位:°C)は上記単結晶の融点を示す。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)又は(2)で表されるセリウム付活珪酸塩化合物の単結晶を酸素の少ない雰囲気中、下記式(3)で表される条件を満足する温度T1(単位:°C)で加熱する工程を有する、単結晶の熱処理方法。 Y2-(x+y)LnxCeySiO5 (1) [式(1)中、Lnは希土類元素に属する元素からなる群より選択される少なくとも1種の元素を示し、xは0〜2の数値を示し、yは0超0.2以下の数値を示す。] Gd2-(z+w)LnzCewSiO5 (2) [式(2)中、Lnは希土類元素に属する元素からなる群より選択される少なくとも1種の元素を示し、zは0超2以下の数値を示し、wは0超0.2以下の数値を示す。] 800≦T1<(Tm1-550) (3) [式(3)中、Tm1(単位:°C)は前記単結晶の融点を示す。]

IPC (5)：

C30B 33/02 , C09K 11/00 , C09K 11/08 , C09K 11/79 , C30B 29/34

FI (5)：

C30B33/02 , C09K11/00 E , C09K11/08 D , C09K11/79 , C30B29/34 Z

F-Term (13)：

4G077AA02 , 4G077BD15 , 4G077FE03 , 4G077FE11 , 4G077HA01 , 4H001CA08 , 4H001XA00 , 4H001XA08 , 4H001XA14 , 4H001XA39 , 4H001XA64 , 4H001XA71 , 4H001YA58

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

特許第2852944号公報
米国特許第4958080号明細書
特公平7-78215号公報

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Cited by examiner (5)

特開平4-321600
特開平4-321600
シンチレーション材料およびシンチレーション導波路素子
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平11-536000 Applicant：ティーエイエスアールリミテッド

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