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J-GLOBAL ID：200903053286447513

プラズマ処理装置

Inventor： 小笠原 正宏 ,  屋代 潤 ,  田原 好文 ,  川上 聡
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 小原 肇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993092524
Publication number (International publication number)：1994283474
Application date： Mar. 27, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体ウエハ等の被処理体周縁部でのチャージアップを抑制し、これによって周縁部のゲート酸化膜などの絶縁破壊を抑制することができるプラズマ処理装置を提供する。【構成】 本プラズマ処理装置は、下部電極2と上部電極4間に回転可能な永久磁石8により回転磁界を印加してマグネトロンプラズマを発生させ、このマグネトロンプラズマにより下部電極2上の半導体ウエハWに所定の処理を施す装置であり、上記下部電極2と対向する上記上部電極4の下面の外周縁部が電気的な絶縁体10によって被覆されたものである。

Claim (excerpt)：

下部電極と上部電極間に磁界を印加してマグネトロンプラズマを発生させ、このマグネトロンプラズマにより上記下部電極上の被処理体に所定の処理を施すプラズマ処理装置において、上記下部電極と対向する上記上部電極の下面の周縁部が電気的な絶縁体によって被覆されたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭63-013333
  
• 特開平4-356920
  
• 特開平3-232226
  
• 特開平3-181128