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J-GLOBAL ID：200903053293824420
圧電素子基板とその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996224539
Publication number (International publication number)：1998056350
Application date： Aug. 07, 1996
Publication date： Feb. 24, 1998
Summary：
【要約】【課題】低温成膜可能であり量産性に優れた成膜方法にて二酸化ケイ素膜を圧電基板上に1μmを越える厚みで形成することにより、遅延時間温度係数がほぼ零となる弾性表面波デバイス用の圧電素子基板を提供することを目的としている。【解決手段】圧電基板上にIDT電極を形成した上で圧電素子基板より熱膨張係数が小さい二酸化ケイ素膜を1μmを越える膜厚で形成したものである。
Claim (excerpt)：
圧電基板上にIDT電極を形成した圧電素子基板上に前記圧電基板より熱膨張係数が小さい二酸化ケイ素膜を1μmを越える膜厚で形成することにより遅延時間温度係数をほぼ零したことを特徴とする圧電素子基板。
IPC (2)：
FI (2)：
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