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J-GLOBAL ID：200903053299658742
半導体基板の評価方法および評価装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
志賀 正武
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995275643
Publication number (International publication number)：1997115977
Application date： Oct. 24, 1995
Publication date： May. 02, 1997
Summary：
【要約】【課題】 精度および分解能の高いFPD密度のエッチング深さ方向プロファイルが得られる方法および装置を提供する。【解決手段】 容器1内の真空チャック5に半導体ウェーハWを固定し、これをエッチング液L中に浸漬させ、半導体ウェーハWを一定の角速度で360°以内で回転させながら、エッチングを行なう。その後、半導体ウェーハWをエッチング液Lから取り出し、洗浄、乾燥後、半導体ウェーハWの表面に形成された気泡の軌跡10を観察することにより、気泡の軌跡10の方向に基づいて結晶欠陥の存在する深さを識別する。
Claim (excerpt)：
選択エッチング中に半導体基板の表面に気泡の軌跡を形成する結晶欠陥のエッチング深さ方向の密度分布を検出する方法であって、選択エッチング液中に半導体基板を立てた状態で浸漬させ、該半導体基板の任意の法線方向を回転軸として一定の角速度かつ360°以内で該半導体基板を回転させた後、該半導体基板を前記選択エッチング液から取り出し、前記半導体基板の表面に形成された気泡の軌跡を観察することにより、該気泡の軌跡の方向に基づいて結晶欠陥の存在する深さを識別することを特徴とする半導体基板の評価方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/66 N
, H01L 21/306 U
