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J-GLOBAL ID：200903053305226140

ウエハ乾燥装置

Inventor： 林 健郎 ,  山下 純一 ,  川副 公之
Applicant, Patent owner： 株式会社スーパーシリコン研究所
Agent (1)： 佐藤 正年 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998110638
Publication number (International publication number)：1999307507
Application date： Apr. 21, 1998
Publication date： Nov. 05, 1999
Summary：

【要約】【課題】 簡便な構成でありながら、従来より安全で効率的に高清浄なウエハの乾燥表面を容易に得ることができるウエハ乾燥装置の提供。【解決手段】 同一クリーンチャンバ内に、水槽と、該水槽の超純水中に浸漬されている半導体ウエハを水中からほぼ垂直姿勢で引き上げて水槽上部で乾燥させる乾燥部とを有するウエハ乾燥装置であり、前記水槽に、超純水を下方から導入してウエハ表面と平行な方向に沿って上方へ向かいつつ水槽上縁から外側方へオーバーフローさせる給排水構造を備えると共に、前記乾燥部に、乾燥用ガスを上方から導入して下方へ流通させつつ前記水槽と乾燥部との境界部からのオーバーフローと順方向にチャンバ外側方へ排気する給排気構造を備えた。

Claim (excerpt)：

水槽の超純水中に浸漬されている半導体ウエハを水中からほぼ垂直姿勢で引き上げて乾燥するための装置であって、同一クリーンチャンバ内に、前記水槽と、該水槽から上方に引き上げられたウエハを水槽上部で乾燥させる乾燥部とを有し、前記水槽は、超純水を下方から導入してウエハ表面と平行な方向に沿って上方へ向かいつつ水槽上縁から外側方へオーバーフローさせる給排水構造を備えると共に、前記乾燥部は、乾燥用ガスを上方から導入して下方へ流通させつつ前記水槽と乾燥部との境界部からのオーバーフローと順方向にチャンバ外側方へ排気する給排気構造を備えたことを特徴とするウエハ乾燥装置。

IPC (3)：

H01L 21/304 651 ,  H01L 21/304 642 ,  H01L 21/304

FI (3)：

H01L 21/304 651 L ,  H01L 21/304 642 A ,  H01L 21/304 642 E