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J-GLOBAL ID：200903053322352095
誘電体薄膜の形成方法およびその装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994044175
Publication number (International publication number)：1995252658
Application date： Mar. 15, 1994
Publication date： Oct. 03, 1995
Summary：
【要約】【目的】 少なくとも2種の原料を用い、熱CVD法により誘電体薄膜を形成する方法および装置において、反応容器内で発生あるいは堆積する微粒子が少なく、膜形成速度が大きく、かつ常に同じ組成の誘電体薄膜を形成することができる方法および装置を提供すること。【構成】 少なくとも2種の気体状態の原料を、被成膜物の置かれた反応容器内へ導入する前に予め混合し、混合ガスとして反応容器内へ導入することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
少なくとも2種の材料を原料として、熱化学気相堆積法により、誘電体薄膜を被成膜物上に堆積させる誘電体薄膜の形成方法において、少なくとも2種の気体状態の原料を被成膜物の置かれた反応容器内へ導入する前に予め混合し、混合ガスとして反応容器内へ導入することを特徴とする誘電体薄膜の形成方法。
IPC (2)：
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