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J-GLOBAL ID：200903053325593700
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994125248
Publication number (International publication number)：1995333854
Application date： Jun. 07, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：
【要約】【目的】 半導体装置の製造に関し、表面凹凸の激しい保護膜を精度よく加工することを目的とする。【構成】 半導体基板上に形成されている導体線路を覆って設けられている保護膜にビアを形成するのに使用するレジストが、低粘度の樹脂と高粘度の樹脂との二層構造をとって形成することを特徴として半導体装置を構成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成されている導体線路を覆って設けられている保護膜にビアを形成するのに使用するレジストが、低粘度の樹脂と高粘度の樹脂との二層構造をとって形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
G03F 7/11 503
, G03F 7/26 511
, H01L 21/027
